IT之家5月4日消息，據(jù)Hankyung報道，三星半導體今天早些時候在KAIST（韓國科學技術院）舉行了一場演講，三星設備解決方案部門總裁Kye Hyun Kyung提出了三星半導體將趕上競爭對手臺積電的未來愿景。
▲圖源Hankyung
▲圖源Hankyung
Kye Hyun Kyung承認三星的代工技術“落后于臺積電”。他解釋說，三星的4nm技術比臺積電落后大約兩年，而其3nm工藝則比臺積電落后大約一年。
不過，Kye Hyun Kyung也表示，但等到2nm就會發(fā)生變化，并大膽預測：“我們可以在五年內超越臺積電。”
三星可能在未來五年內跑贏臺積電的想法，源于三星打算從3nm制造工藝開始使用Gate All Around（GAA）技術。相比之下，臺積電在達到200萬產(chǎn)量之前不會使用GAA。
GAA是一種生產(chǎn)工藝，可以使三星生產(chǎn)出比臺積電目前使用的工藝更小（45%）、能耗更低（50%）的芯片。Kye Hyun Kyung稱“客戶對三星電子的3nm GAA工藝的反映很好”。
Kye Hyun Kyung還表示，三星預計存儲半導體在開發(fā)AI服務器方面將變得更加重要，并超過英偉達GPU，并稱三星將“確保以存儲器半導體為中心的超級計算機能夠在2028年問世”。
據(jù)IT之家此前報道，近期三星稱，其4nm芯片制程良率已改善、接近5nm的水準，下一代4nm制程將提供更高的良率。
業(yè)內消息人士透露，美國芯片巨頭AMD公司已經(jīng)選擇了三星電子作為其4nm處理器的合作伙伴。此外，谷歌公司也將委托三星電子生產(chǎn)其Pixel 8智能手機的Tensor 3芯片，采用三星電子第三代4nm工藝節(jié)點。
