我國在半導體行業的起步相對比較晚，歐美日韓等企業已經在相關領域布局了幾十年，我們想要靠短程賽跑去實現超越很難，互聯網行業可以突破，但半導體行業靠的是產業鏈，需要布局數年。
好在經過近十年的努力，我們終于在半導體領域看到了星星之火，而且已經迎來了可以燎原的趨勢，未來的半導體產業，中國企業在其中必定會起到至關重要的作用。
在國家和各界的關注下，這幾年半導體行業的投資金額逐年提升，僅2021年就有資本融資686起，獲得投融資金額2013.74億元，截至2022年6月底，中國芯片半導體公司數量已達2904家。
這其中不乏一些已經做到了行業頭部的企業，像我們熟悉的中芯國際、華為海思、紫光展銳、長江存儲等，這些企業所掌握的技術，均達到了國際先進水平，甚至有些已經做到了全球領先。
2016年成立的長江存儲在閃存芯片領域，就實現了階梯性的跨越，原本國內科技公司做電子產品，都需要向美國、韓國企業購買閃存，但長江存儲現在已經做出了UFS3.1通用閃存。
今年4月，長江存儲就推出了UC023閃存，這是長江存儲打造的一款UFS3.1旗艦級高速閃存芯片，這款產品連續讀取速度可達2000MB/s，寫入速度最高可達1250MB/s。
要知道三星的512GBUFS3.1閃存的讀取速度是2100MB/s，寫入速度是1200MB/s，長江存儲推出的UFS3.1閃存，在讀寫速度上都已經向三星看齊了。
更關鍵的是，如今長江存儲又在閃存芯片技術上實現了一項新突破，近日長江存儲完成了232層3DNAND閃存生產，成為了全球首個實現量產200層以上3DNAND的廠商。
有機構拆解了首款采用232層3DNAND顆粒的固態硬盤，通過拆解海康威視的CC7002TB的固態硬盤分析發現，這款產品就是用的長江存儲232層3DNAND顆粒。
這意味著，長江存儲確實已經完成了232層3DNAND閃存的量產，國產芯片又取得了新的突破。
要知道，3DNAND閃存技術做到128層就已經頗具挑戰了，三星、SK海力士、美光等企業花了數年時間才達到了這個水平，長江存儲再次向外界證明了什么是中國速度。
2016年成立的長江存儲，次年就完成了32層NAND閃存的小批量生產，2019年又順利攻克了64層NAND閃存的批量生產，打破了閃存芯片被外企壟斷的困境。
而且長江存儲的64層NAND閃存可媲美競品的96層3DNAND閃存，主要原因就是長江存儲自創的X-tacking架構起到了巨大作用。
據悉，X-tacking架構可以在開發產品時將時間縮短90天，產品生產周期可以縮短20%，單位面積存儲密度可達到競品的96層3DNAND閃存水平。
長江存儲靠著這項原創技術，直接跳過了96層，直升到了128層技術，并推出了成熟的產品，而現在長江存儲又突破了200層技術，真是可喜可賀。
事實上長江存儲做出232層3DNAND閃存之前，美國存儲芯片巨頭美光科技曾表示，要成為全球首個量產232層3DNAND閃存的企業，但卻遲遲沒有消息。
千等萬等，如今卻等來了中企的突破，真的是振奮人心，不過長江存儲的突破卻讓美國人急了，逼得美國兩黨很著急，并施壓美商務部采取行動。
最后再分享一個笑話，這兩年是不是很少看到三星、美光、海力士它們的工廠失火了，失火只是借口，漲價才是目的，如今有了國產長江存儲，它們想漲價也漲不上去了。
不得不說，長江存儲作為后起之秀，卻一次次地放出王炸，讓我們看到了國產芯片的希望，如果中國企業中還能出現幾家像長江存儲這樣的企業，未來我們何懼被卡脖子。
