根據(jù)韓國The Elec報道，三星電子和SK海力士兩家公司加速推進(jìn)12層HBM內(nèi)存量產(chǎn)。生成式AI的爆火帶動英偉達(dá)加速卡的需求之外，也帶動了對高帶寬存儲器（HBM）的需求。HBM堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強(qiáng)，目前主流HBM堆疊8層，而下一代12層也即將開始量產(chǎn)。
報道稱HBM堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和SK海力士正在推進(jìn)名為混合鍵合（Hybrid Bonding）的封裝工藝，突破TCB和MR的發(fā)熱、封裝高度等限制。
Hybrid Bonding中的Hybrid是指除了在室溫下凹陷下去的銅bump完成鍵合，兩個Chip面對面的其它非導(dǎo)電部分也要貼合。因此，Hybrid Bonding在芯粒與芯粒或者wafer與wafer之間是沒有空隙的，不需要用環(huán)氧樹脂進(jìn)行填充。
IT之家援引該媒體報道，三星電子和SK海力士等主要公司已經(jīng)克服這些挑戰(zhàn)，擴(kuò)展了TCB和MR工藝，實現(xiàn)最高12層。
報道稱采用Hybrid Bonding工藝之后，顯著提高了輸入/輸出（IO）吞吐量，允許在1平方毫米的面積內(nèi)連接1萬到10萬個通孔（via）。
