IT之家6月4日消息，根據(jù)韓媒koreaherald報道，英特爾計劃在韓國首爾設(shè)立科研實驗室，通過擴展和三星、SK海力士的合作，推進適用于數(shù)據(jù)中心的DRAM芯片研發(fā)工作。
位于首爾的數(shù)據(jù)中心開發(fā)實驗室將于今年年底前竣工開業(yè)，主要負(fù)責(zé)為數(shù)據(jù)中心開發(fā)DDR5 DRAM內(nèi)存技術(shù)。
英特爾在Vision 2023活動中，還表示在美國、中國、印度和墨西哥等地再設(shè)立6個科研機構(gòu)，主要負(fù)責(zé)研究和認(rèn)證服務(wù)器半導(dǎo)體芯片。
英特爾還擴大和三星、SK海力士的合作，測試和評估DDR5和Compute Express link等下一代內(nèi)存產(chǎn)品的性能。
IT之家此前報道，SK海力士最近宣布其第5代10nm工藝1bnm已完成驗證，滿足下一代DDR5和HBM3E的解決需求。
該公司表示，Xeon Scalable獲得了英特爾認(rèn)證，以支持基于10億納米節(jié)點構(gòu)建的DDR5產(chǎn)品。三星還開始量產(chǎn)采用12nm工藝節(jié)點的16Gb DDR5 DRAM。
